سرايا - نجح فريق بحثي في جامعة فودان بمدينة شنغهاي الصينية في تطوير أسرع ذاكرة فلاش في العالم حتى الآن، بسرعة كتابة تصل إلى 400 بيكو ثانية فقط، محققين بذلك نقلة نوعية قد تغير مستقبل تقنيات تخزين البيانات في الأجهزة الذكية والحواسيب.

لمن لا يعرف، فالبيكو ثانية Picosecond هي وحدة زمنية تعادل جزءًا من تريليون جزء من الثانية، وهو ما يجعل هذه الذاكرة الجديدة أسرع بحوالي 250 مليون مرة من الوقت اللازم لطرفة العين التي تستغرق حوالي 0.1 ثانية.


وأطلق العلماء على هذه الذاكرة الجديدة اسم PoX، وهي ذاكرة غير متطايرة Non-volatile، أي أنها تحتفظ بالبيانات حتى في حالة انقطاع التيار الكهربائي عنها. وعلى عكس ذاكرة الفلاش التقليدية المستخدمة حاليًا في الهواتف وأقراص التخزين ووحدات الـ USB، والتي قد تستغرق أكثر من ميكرووثانية إلى عدة ملي ثانية لإتمام عملية كتابة البيانات، فإن ذاكرة «PoX» قادرة على تنفيذ هذه العملية بشكل شبه فوري.

كيف نجح العلماء في ذلك؟

وقد تمكن الباحثون من تحقيق هذا الإنجاز عن طريق استخدام مادة الجرافين ثنائي الأبعاد Dirac Graphene بدلًا من السيليكون التقليدي، مستفيدين من خاصية مميزة لهذه المادة تسمى "الحقن الفائق ثنائي الأبعاد"، والتي تسمح للشحنات الكهربائية بالتحرك بسرعة فائقة ودون عوائق تقريبًا.

وأكد البروفيسور جو بينغ، قائد الفريق البحثي في جامعة فودان، أن هذه التقنية الجديدة يمكن أن تساهم في حل مشكلة عنق الزجاجة التي تواجهها الأنظمة المعتمدة على تقنيات الذكاء الاصطناعي، حيث إن هذه الأنظمة تحتاج إلى معالجة كميات ضخمة من البيانات بسرعة فائقة وبدون تأخير.

وأضاف الباحث ليو تشونسن من مختبر الأنظمة المتكاملة بجامعة فودان أن الفريق قد انتهى بالفعل من تصنيع نموذج تجريبي من شريحة ذاكرة PoX، ويجري حاليًا العمل مع شركاء صناعيين لإدماج هذه التقنية في الهواتف الذكية والحواسيب المحمولة خلال الفترة المقبلة، فهل نراها قريبًا؟